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主要研究内容 电子封装用铝基复合材料主要包括SiCp/Al、AlNp/Al和Sip/Al等复合材料。它们采用专利挤压铸造方法制备，该工艺生产成本低、设备投资少、制成的材料致密度高，且对增强体和基体合金几乎没有选择，便于进行材料设计。“金属基复合材料工程技术研究所”在这一工艺上拥有多项发明专利，技术成熟，并具有独立开发新型材料的能力。 本电子封装材料具有低膨胀、高导热、机械强度高等优点，可以与Si、GaAs或陶瓷基片等材料保持热匹配。与目前常用的W/Cu、Mo/Cu复合材料相比，导热性、热膨胀性能相当，但成本更低、质量轻，应用于微波器件、高性能、电力电子模块等多种电子（或光电子）器件封装中，对降低成本、减轻重量会起到积极的作用。国内电子电子器件对此类材料的需求颇为巨大，市场前景广阔。 主要技术指标 SiCp/Al AlNp/Al Sip/Al 密度 (g/cm3) 2.9~3.0 2.9~3.0 ~2.4 热膨胀系数 (×10-6/℃) (20～100℃) 7.3～11.1 8.9～10.7 7.9~~12 导热率 (W/(m•℃)) 120～170 65～90 85~100 弯曲强度 (MPa) 370～430 530～650 270~350 弹性模量 (GPa) 150～215 140～175 100~120